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数量:500 |
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规格书 |
IPx50N10S3L-16 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 100V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 50A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 15.7 mOhm @ 50A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.4V @ 60µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 64nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 4180pF @ 25V |
功率 - 最大 | 100W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
包装材料 | Tube |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 50A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.4V @ 60µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
标准包装 | 500 |
供应商设备封装 | PG-TO262-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 15.7 mOhm @ 50A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 100W |
封装/外壳 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 4180pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 64nC @ 10V |
工厂包装数量 | 500 |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
连续漏极电流 | 50 A |
系列 | IPI50N10 |
RDS(ON) | 15.7 mOhms |
功率耗散 | 100 W |
最低工作温度 | - 55 C |
典型关闭延迟时间 | 28 ns |
零件号别名 | IPI50N10S3L16AKSA1 SP000407120 |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 175 C |
漏源击穿电压 | 100 V |
RoHS | RoHS Compliant |
安装类型 | 通孔 |
晶体管材料 | Si |
类别 | 功率 MOSFET |
长度 | 10mm |
典型输入电容值@Vds | 3215 pF @ 25 V |
系列 | OptiMOS T |
通道模式 | 增强 |
高度 | 9.25mm |
每片芯片元件数目 | 1 |
最大漏源电阻值 | 29 mΩ |
最大栅阈值电压 | 2.4V |
Board Level Components | Y |
最高工作温度 | +175 °C |
通道类型 | N |
最低工作温度 | -55 °C |
最大功率耗散 | 100 W |
最大栅源电压 | ±20 V |
宽度 | 4.4mm |
尺寸 | 10 x 4.4 x 9.25mm |
最小栅阈值电压 | 1.2V |
最大漏源电压 | 100 V |
典型接通延迟时间 | 10 ns |
典型关断延迟时间 | 28 ns |
封装类型 | TO-262 |
最大连续漏极电流 | 50 A |
引脚数目 | 3 |
晶体管配置 | 单 |
典型栅极电荷@Vgs | 49 nC @ 10 V |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
宽度 | 4.5 mm |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
下降时间 | 5 ns |
安装风格 | Through Hole |
品牌 | Infineon Technologies |
通道数 | 1 Channel |
商品名 | OptiMOS |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current | 50 A |
长度 | 10.2 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 15.4 mOhms |
通道模式 | Enhancement |
身高 | 9.45 mm |
典型导通延迟时间 | 10 ns |
Pd - Power Dissipation | 100 W |
上升时间 | 5 ns |
技术 | Si |
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